AMD于2月27日宣布，在合作伙伴IBM的幫助下，他們已經(jīng)取得了45nm制造工藝的關(guān)鍵性突破，為進(jìn)軍16nm技術(shù)乃至更小尺寸工藝奠定了堅實(shí)基礎。

AMD和IBM成功使用全場(chǎng)(Full-Field)極端遠紫外線(xiàn)(EUV)平版印刷術(shù)制造了一顆45nm工藝試驗性芯片，尺寸22×33毫米。此前使用EUV技術(shù)生產(chǎn)的芯片部件都是“窄場(chǎng)”(Narrow-Field)的，只設計整個(gè)芯片的一部分，而AMD和IBM將其延伸到了芯片上的全部區域，整個(gè)第一層金屬互聯(lián)層都使用了這種技術(shù)。

AMD是在德國德累斯頓Fab 36晶圓廠(chǎng)使用193nm沉浸平版印刷術(shù)制造這顆芯片的，隨后將其運往IBM在紐約首府奧爾巴尼納米科學(xué)與工程學(xué)院的研究工廠(chǎng)，使用荷蘭光刻設備供應商ASML Holding NV的一臺13.5nm EUV平版印刷掃描儀蝕刻了芯片晶體管之間的第一層金屬互聯(lián)層，最終完成了這顆芯片。

AMD稱(chēng)，試驗芯片內部晶體管的“特性與只使用193nm沉浸平版印刷術(shù)制造的芯片完全一致”。

最近二十年來(lái)，業(yè)界一直認為EUV平版印刷術(shù)是最有希望的下一代微芯片生產(chǎn)工藝。早在1997年，Intel、AMD、摩托羅拉就聯(lián)合成立了一家名為“EUV Limited Liability Corporation”的公司，試圖在100nm工藝水平上取代深紫外線(xiàn)(DUV)，但后者近來(lái)不斷進(jìn)步，已經(jīng)可以在45nm工藝上大規模量產(chǎn)了，并普遍被認為能延續到22nm。

當然，DUV技術(shù)早晚都會(huì )走到盡頭，向EUV的轉換可能會(huì )出現在16nm工藝上，時(shí)間大概是2013年左右

AMD稱(chēng)，要想將EUV平版印刷術(shù)投入實(shí)際生產(chǎn)，必須將這種技術(shù)擴展到整個(gè)微處理器的所有關(guān)鍵層上，而不僅限于金屬互聯(lián)層。AMD認為，EUV平版印刷術(shù)必須在2016年之前獲得投產(chǎn)認證，因為屆時(shí)將到達22nm工藝極限。