東京大學(xué)研究生院工程學(xué)系研究專(zhuān)業(yè)副教授染谷隆夫的研究小組和東京大學(xué)國際產(chǎn)學(xué)共同研究中心教授櫻井貴康的研究小組共同開(kāi)發(fā)出了薄膜型無(wú)線(xiàn)通信系統。只需將電子設備放在薄膜上，即可在電子設備之間進(jìn)行通信。無(wú)線(xiàn)通信薄膜的面積為21cm×21cm，厚度1mm，重量?jì)H50g。還可機械彎曲。如果達到實(shí)用水平，還可在桌子及墻壁上粘貼無(wú)線(xiàn)通信薄膜，向薄膜上放置的電子設備傳輸信息。

如將此次的產(chǎn)品與該共同研究小組06年發(fā)表的無(wú)接點(diǎn)電力傳輸薄膜組合使用，還有望無(wú)需連接器進(jìn)行機械連接，即可向薄膜上的電子設備傳輸電力和信息。無(wú)線(xiàn)通信系統與無(wú)接點(diǎn)電力傳輸系統組合使用的實(shí)驗已經(jīng)完成，證實(shí)電力供應和信息傳輸均可實(shí)現。

采用該無(wú)線(xiàn)通信薄膜的晶體管的單元構造將在“2007 IEEE International Electron Devices Meeting（2007 IEDM）”（2007年12月10～12日，米國華盛頓D.C.）上發(fā)表。與該薄膜組合的低電力通信電路技術(shù)預定在“2008 International Solid-State Circuits Conference（ISSCC 2008）”（2008年2月3～7日，米國舊金山）上發(fā)表。東京大學(xué)VDEC副教授高宮真教授、慶應義塾大學(xué)理工學(xué)部教授黑田忠廣也參與了薄膜型無(wú)線(xiàn)通信系統的開(kāi)發(fā)。

利用電感耦合及容量耦合

此次的系統使用的無(wú)線(xiàn)通信薄膜由植入非易失性?xún)却嬖�件及晶體管的內存薄膜、設置有MEMS開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)薄膜以及線(xiàn)圈薄膜重疊構成。在薄膜表面內集成了縱8個(gè)×橫8個(gè)，即64個(gè)將非揮性?xún)却嬖�件、MEMS開(kāi)關(guān)元件及線(xiàn)圈集成為一組的單元。為了控制無(wú)線(xiàn)通信薄膜，外置了收發(fā)器電路及控制電路等LSI。在外置LSI集成的電路方面，對無(wú)線(xiàn)通信薄膜的驅動(dòng)下了一番工夫，將傳輸速度為100Kbs時(shí)的通信能量降到了107pJ/bit。

如果在該薄膜上放置兩個(gè)電子設備，設備之間就會(huì )按照以下步驟開(kāi)始通信：(1)利用無(wú)接點(diǎn)電力傳輸薄膜中使用的技術(shù)檢測出薄膜上電子設備的位置，(2)算出最短的通信路徑，(3)在最短路徑中連接MEMS開(kāi)關(guān)的非易失性?xún)却骈_(kāi)始運行程序，(4)程序運行后的MEMS開(kāi)關(guān)元件導通，通信路徑確立。無(wú)線(xiàn)通信系統利用線(xiàn)圈之間的電感耦合或容量耦合由電子設備向薄膜、并由薄膜向其它電子設備通信。因此，需要在電子設備中內置線(xiàn)圈。利用電感耦合時(shí)使用頻率為3MHz的載波。利用容量耦合時(shí)通過(guò)脈沖通信傳輸信息。

采用印刷技術(shù)制造，非易失性?xún)却婵蓪?shí)現105次以上的擦寫(xiě)

在構成無(wú)線(xiàn)通信薄膜的內存薄膜中，晶體管采用并五苯，非易失性?xún)却嬖�件采用強介電性高分子的氟化乙烯和三氯乙烯的聚合物，均為有機材料。采用這些材料并利用噴墨裝置及絲網(wǎng)印刷裝置等印刷技術(shù)形成各元件。另外，柵電極、柵絕緣膜、源電極、漏電極均采用印刷技術(shù)形成。

非易失性?xún)却嬖�件可在大氣中進(jìn)行超過(guò)105次的數據擦寫(xiě)。伴隨著(zhù)封裝技術(shù)、強介電材料技術(shù)及晶體管技術(shù)的進(jìn)步，其可靠性也大為提高。